Cuadro comparativo de dispositivos semiconductores.
| Dispositivo | Características | Ventajas | Desventajas |
|---|---|---|---|
| Transistor bipolar de unión (BJT) | Control de corriente mediante voltaje de base, alta ganancia, bajo ruido. | Alta ganancia, bajo ruido, bajo costo. | Baja eficiencia, alta distorsión, limitaciones de voltaje y corriente. |
| Transistor de efecto de campo (FET) | Control de corriente mediante campo eléctrico, alta impedancia de entrada, bajo consumo de potencia. | Alta impedancia de entrada, bajo consumo de potencia, respuesta de frecuencia amplia. | Limitaciones de voltaje y corriente, sensibilidad a la temperatura, alto ruido. |
| Transistor de efecto de campo de compuerta aislada (IGFET) | Control de corriente mediante campo eléctrico, alta impedancia de entrada, bajo consumo de potencia, alta estabilidad térmica. | Alta impedancia de entrada, bajo consumo de potencia, respuesta de frecuencia amplia. | Limitaciones de voltaje y corriente, sensibilidad a la temperatura, alto ruido, alto costo. |
| Diodo emisor de luz (LED) | Emite luz al polarizarse en directa, alta eficiencia luminosa, larga vida útil, bajo consumo de energía. | Alta eficiencia luminosa, larga vida útil, bajo consumo de energía. | Limitaciones de voltaje y corriente, sensibilidad a la temperatura, costos iniciales elevados. |
| Diodo rectificador | Permite el flujo de corriente en una dirección, bajo costo, alta eficiencia. | Bajo costo, alta eficiencia. | Limitaciones de voltaje y corriente, sensibilidad a la temperatura, alta distorsión. |
| Transistor de unión bipolar de puerta aislada (IGBT) | Control de corriente mediante voltaje de puerta y corriente de base, alta capacidad de conmutación, bajo voltaje de saturación. | Alta capacidad de conmutación, bajo voltaje de saturación, baja pérdida por conmutación. | Limitaciones de voltaje y corriente, sensibilidad a la temperatura, alto costo. |
Este cuadro comparativo presenta una comparación detallada de las características, ventajas y desventajas de los principales dispositivos semiconductores utilizados en la electrónica. Cada dispositivo tiene sus propias fortalezas y debilidades, lo que significa que la elección del dispositivo adecuado dependerá del uso previsto y las condiciones de funcionamiento. Los dispositivos incluidos en el cuadro son: Transistor bipolar de unión (BJT), Transistor de efecto de campo (FET), Transistor de efecto de campo de compuerta aislada (IGFET), Diodo emisor de luz (LED), Diodo rectificador y Transistor de unión bipolar de puerta aislada (IGBT). Este cuadro comparativo es útil para aquellos que buscan seleccionar el dispositivo adecuado para su proyecto y necesitan una comparación rápida y fácil de las características clave de cada dispositivo.
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