Cuadro comparativo del MOSFET de potencia.

CaracterísticasMOSFET de canal NMOSFET de canal P
Tensión de bloqueo máximo600V600V
Corriente de drenador máximo90A85A
Resistencia en conducción0,001 Ω0,002 Ω
Velocidad de conmutaciónAltaBaja
Aplicaciones recomendadasSistemas de alimentación de alta eficiencia y conmutación de alta frecuenciaAplicaciones de baja tensión y baja corriente

Este cuadro comparativo muestra las diferencias entre los MOSFETs de canal N y de canal P en cuanto a sus características más importantes. Los MOSFETs de canal N tienen una resistencia en conducción más baja y una velocidad de conmutación más alta, lo que los hace ideales para sistemas de alimentación de alta eficiencia y conmutación de alta frecuencia. Por otro lado, los MOSFETs de canal P son más adecuados para aplicaciones de baja tensión y baja corriente. Es importante tener en cuenta estas diferencias al elegir el MOSFET adecuado para una determinada aplicación.

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