Cuadro comparativo del MOSFET de potencia.
Características | MOSFET de canal N | MOSFET de canal P |
---|---|---|
Tensión de bloqueo máximo | 600V | 600V |
Corriente de drenador máximo | 90A | 85A |
Resistencia en conducción | 0,001 Ω | 0,002 Ω |
Velocidad de conmutación | Alta | Baja |
Aplicaciones recomendadas | Sistemas de alimentación de alta eficiencia y conmutación de alta frecuencia | Aplicaciones de baja tensión y baja corriente |
Este cuadro comparativo muestra las diferencias entre los MOSFETs de canal N y de canal P en cuanto a sus características más importantes. Los MOSFETs de canal N tienen una resistencia en conducción más baja y una velocidad de conmutación más alta, lo que los hace ideales para sistemas de alimentación de alta eficiencia y conmutación de alta frecuencia. Por otro lado, los MOSFETs de canal P son más adecuados para aplicaciones de baja tensión y baja corriente. Es importante tener en cuenta estas diferencias al elegir el MOSFET adecuado para una determinada aplicación.
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